DÉFORMATION PLASTIQUE A BASSE TEMPÉRATURE DU FLUORURE DE LITHIUM IRRADIÉ

Résumé
L'auteur présente des résultats concernant les propriétés plastiques de monocristaux de LiF, irradiés à l'aide de rayons γ à la température de l'azote liquide et à la température ambiante. Les essais mécaniques ont été effectués entre 4 et 400 K : la variation de la limite élastique avec la température, le volume d'activation et l'énergie d'activation sont discutés à partir de la théorie de la défomation activée thermiquement. On montre que les interstitiels halogènes, créés en même temps que les centres colorés par la radiation ionisante, sont divisés en deux groupes : les uns sont piégés par les impuretés positives divalentes pour former un défaut responsable de la partie thermique de la contrainte d'écoulement, en interagissant élastiquement avec les dislocations mobiles (leur nombre ne dépend pas de la dose d'irradiation après le premier stade d'irradiation) ; les autres se regroupent en petites boucles d'interstitiels, responsables de la partie athermique de la contrainte par un mécanisme de jonction avec les dislocations mobiles (le nombre de ces boucles est sensiblement constant, mais leur taille croît avec la dose d'irradiation).

Abstract
Results are presented for the plastic properties of LiF single crystals, irradiated with γ rays at liquid nitrogen and room temperatures. Mechanical tests were performed between 4 and 400 K : temperature dependence of the flow stress, activation volume and activation energy are discussed in term of the thermally activated deformation theory. It is shown that the halogen interstitials, created together with color centers by ionising radiation, are divided in two groups : some of them are trapped by positive divalent impurities to from a defect responsible for the thermal part of the flow stress by elastic interaction with moving dislocations (their number does not depend on radiation dose after the first stage of irradiation) ; the others coalesce in small interstitials loops responsible for the high athermal flow stress by a mechanism of junction with moving dislocations (the number of these loops is rather constant but their size increases with radiation dose).