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J. Phys. Colloques
Volume 32, Numéro C1, Février 1971
EXPOSÉS et COMMUNICATIONS présentés à la 7ème CONFÉRENCE INTERNATIONALE DE MAGNÉTISME 1970
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| Page(s) | C1-934 - C1-936 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19711334 | |
J. Phys. Colloques 32 (1971) C1-934-C1-936
DOI: 10.1051/jphyscol:19711334
TEMPERATURE DEPENDENCE OF PHOTOCONDUCTIVITY IN CdCr2Se4
S. B. BERGER and A. AMITHRCA Laboratories, Princeton, N. J., 08540
Résumé
On a mesuré les variations de la photoconductivité (PC) avec la température (T) entre 80° et 330 °K, dans le cas de CdCr2Se4 dopé de In, avec, ou sans lacunes de Se. Sans In ou bien dans le cas d'absence de lacunes de Se, la PC est un phénomène activé. En présence de tous les deux la PC varie d'une façon plus compliqué. Les variations de la PC sont attribuées aux changements de la durée de vie plutôt qu'aux changements de la mobilité. L'anomalie dans la courbe de P C en fonction de T-1 observée au voisinage de Tc indique que la durée de vie dépend de l'ordre magnétique.
Abstract
The temperature (T) dependence of the photoconductivity (PC) in CdCr2Se4 has been measured as a function of In doping with and without Se deficiencies from 80 to 330 °K. In the absence of Se deficiencies or In, the PC is an activated process over much of the T range. When both are present, the PC behavior is more complicated. The PC variations are attributed to lifetime effects rather than to mobility changes. A break in the PC versus T-1 curve, observed near Tc, reflects a dependence of lifetime processes on magnetic ordering.