MÖSSBAUER EXPERIMENTS ON DILUTE IRON-BASED ALLOYS WITH NON-TRANSITION ELEMENTS

Résumé
La distribution de champ hyperfin et le déplacement isomérique causé par une impureté unique dans le fer ont été examinés dans le cas des contaminations de Al, Si, Ga et Ge. Nous avons essayé de mettre au point les causes du désaccord entre les données obtenues par l'effet de Mössbauer et celles observées par divers techniques de RNM. La différence entre les déplacements des champs hyperfins et les changements dans le déplacement isomérique dans Fe-Al et Fe-Si sont discutés en termes du modèle de l'effet d'écran de charge. Dans le cas des impuretés de Ga et Ge les changements des champs hyperfins et des déplacements isomériques sont expressément différents de ceux observés pour Al et Si.

Abstract
The hyperfine field distribution and the isomer shift caused by a single impurity in iron was investigated in the case of Al, Si, Ga and Ge. An attempt was made to clear up the disagreement between the data obtained by Mössbauer effect and those observed by various NMR techniques. The difference between the shifts of the hyperfine fields and the changes of the isomer shifts in Fe-Al and Fe-Si are discussed in terms of the charge screening model. In the case of Ga and Ge impurities the changes of the hyperfine fields and the isomer shifts are markedly different from those observed for Al and Si.