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J. Phys. Colloques
Volume 51, Number C1, Janvier 1990
Proceeding of the International CongressIntergranular and Interphase Boundaries in materials |
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| Page(s) | C1-221 - C1-226 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1990134 | |
DOI: 10.1051/jphyscol:1990134
GRAIN BOUNDARY STUDIES IN α SiC
E. LAURENT-PINSON, G. NOUET et J. VICENSLaboratoire d'Etudes et de Recherches sur les Matériaux, CNRS URA 1317, Institut des Sciences de la Matière et du Rayonnement, Boulevard du Maréchal Juin, F-14032 Caen Cedex, France
Abstract
Une description des joints de grains dans α SiC basée sur les modèles de coincidence est proposée pour les deux polytypes 4H, 6H et également pour les interfaces entre deux polytypes différents. Les listes de coincidence établies pour les différents cas sont comparées aux résultats des relations d'orientation entre cristaux dans différents matériaux SiC. Une déviation assez importante par rapport aux coincidences exactes a été notée. La détermination du plan des joints et de la relation d'orientation ont permis de mettre en évidence quelques caractéristiques particulières à α SiC.
Abstract
A description of grain boundaries in α SiC based on coincidence orientations is proposed for the two 4H and 6H polytypes and grain boundaries between two different polytypes. The lists of coincidence orientations established for the different cases are compared to experimental orientations performed in different SiC materials. A deviation from the coincidence orientations rather high has been found. The determination of the grain boundary plane and the relationship between the two crystals lead to some conclusions characterizing α SiC materials.