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J. Phys. Colloques
Volume 50, Number C7, Octobre 1989
X-ray and Neutron Scattering from Surfaces and Thin FilmsProceedings of the International Conference on Surface and Thin Film studies using Glancing-Incidence X-ray and Neutron Scattering |
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| Page(s) | C7-295 - C7-300 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1989731 | |
Proceedings of the International Conference on Surface and Thin Film studies using Glancing-Incidence X-ray and Neutron Scattering
J. Phys. Colloques 50 (1989) C7-295-C7-300
DOI: 10.1051/jphyscol:1989731
IN SITU X-RAY SCATTERING STUDIES OF THE DEPOSITION OF Ge ATOMS ON Ge (111)
R.G. VAN SILFHOUT1, J.W.M. FRENKEN1, J.F. VAN DER VEEN1, S. FERRER2, A. JOHNSON3, H. DERBYSHIRE3, C. NORRIS3 et J.E. MACDONALD41 FOM Institute for Atomic and Molecular Physics, Kruislaan 407, DK-1098 SJ Amsterdam, The Netherlands
2 ESRF, F-38043 Grenoble Cedex, France
3 Leicester University, GB-Leicester LE1 7RH, Great-Britain
4 Department of Physics, University College, GB-Cardiff CF1 3TH, Great-Britain
Résumé
On étudie la nucléation de Ge déposé sur Ge(111) en ultravide par réflectivité de rayons X. La mesure de l'intensité réfléchie du faisceau spéculaire en fonction de l'angle d'incidence donne accès à la distribution de hauteurs de terrasse sur la surface durant la croissance du cristal de Ge(111). Une analyse quantitative utilisant la théorie de diffusion cinématique montre que pour une température de substrat de 200 °C, la croissance se fait essentiellement couche par couche avec toutefois, une certaine rugosité. La rugosité est décrite par un modèle mettant en jeu trois niveaux incomplets de terrasse. Grâce à ce modèle, nous pouvons déterminer l'état d'occupation des trois niveaux supérieurs en fonction de la quantité totale déposée.
Abstract
The nucleation of Ge on Ge(111) has been studied by X-ray reflectivity during deposition in ultrahigh vacuum. Measurements of the specularly reflected intensity as a function of the angle of incidence reveal the distribution of terrace heights on the surface during growth of the Ge(111) crystal. A quantitative analysis using kinematical scattering theory shows that, for a substrate temperature of 200 °C, the growth proceeds predominantly layer by layer but that there is some roughening. The roughening is described by a model which includes three incomplete terrace levels. Using this model we are able to determine the occupation of the three topmost levels as a function of the total deposited amount.