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J. Phys. Colloques
Volume 50, Number C7, Octobre 1989
X-ray and Neutron Scattering from Surfaces and Thin FilmsProceedings of the International Conference on Surface and Thin Film studies using Glancing-Incidence X-ray and Neutron Scattering |
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| Page(s) | C7-159 - C7-168 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1989715 | |
Proceedings of the International Conference on Surface and Thin Film studies using Glancing-Incidence X-ray and Neutron Scattering
J. Phys. Colloques 50 (1989) C7-159-C7-168
DOI: 10.1051/jphyscol:1989715
IN SITU X-RAY SCATTERING STUDIES OF CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
P.H. FUOSS1, D.W. KISKER1, S. BRENNAN2, J.L. KAHN3, G. RENAUD1 et K.L. TOKUDA11 AT and T Bell Laboratories, Holmdel, NJ 07733, U.S.A.
2 Stanford Synchrotron Radiation Laboratory, Stanford, CA 94309, U.S.A.
3 Department of Physics, Stanford University, Stanford, CA 94309, U.S.A.
Résumé
La combinaison de la diffusion des rayons x en incidence rasante avec la source de rayonnement synchrotron la plus brillante permet d'étudier les phénomènes de surface complexes qui se produisent près de la pression atmosphérique, dont l'importance est autant fondamentale que technologique. Cet article décrit la première utilisation des rayons x issus d'un ondulateur de l'anneau de stockage PEP pour l'étude de l'un de ces processus : l'épitaxie en phase vapeur sous organométallique. Nous avons étudié in situ la croissance de ZnSe sur GaAs, sous flux de diethylselenium et de diethylzinc. Nous présentons les résultats relatifs à la structure de la surface GaAs(001) sous 100 Torr d'hydrogène et à celle de la surface ZnSe(001) au cours de croissance ; ainsi que relatifs aux cinétiques de relaxation et de réarrangement en fonction des conditions de croissance.
Abstract
The combination of grazing incidence x-ray scattering and the brightest synchrotron undulator radiation source is a powerful tool to study complex, near atmospheric pressure surface processes which have both scientific and technological importance. This paper describes the first use of undulator radiation from the PEP storage ring to study one such process, organometallic vapor phase epitaxy. In particular, the growth of ZnSe on GaAs surfaces from diethylselenium and diethylzinc has been studied in situ. We present results on the structure of GaAs (001) surfaces in 100 Torr of hydrogen, the structure of the ZnSe surface during growth, and the kinetics of surface relaxation and rearrangement following abrupt changes in growth conditions.