CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF REFRACTORY METALS DISILICIDES : A REVIEW

Résumé
Les siliciures métalliques jouent un rôle de plus en plus important en technologie circuits intégrés silicium de type VLSI. Parmi les différentes techniques susceptibles d'être utilisées pour obtenir de manière reproductible, des couches minces de ces matériaux de bonne qualité, le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) apparaît actuellement comme la plus performante. Le but de cette publication est de passer en revue les différents procédés, matériaux et résultats obtenus jusqu'à présent par cette méthode de dépôt en technologie VLSI. De plus, les procédés récents susceptibles de répondre aux exigences de la future technologie ULSI seront examinées.

Abstract
The importance of metal silicides films in current VLSI technology is obvious. Among the different techniques which can be used to obtain high quality layers of these materials in a reproducible manner, the CVD emerges as the more promising solution. The purpose of this paper is to review the various chemical vapor deposition processes, materials and results reported so far for refractory metals disilicides in today's VLSI technology. In addition, potentially new CVD processes that could meet the future reeds of the ULSI technology will be explored.