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J. Phys. Colloques
Volume 50, Number C5, Mai 1989
Actes de la 7ème Conférence Européenne sur les Dépôts Chimiques en Phase Gazeuse / Proceedings of the Seventh European Conference on Chemical Vapour Deposition
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Page(s) | C5-377 - C5-387 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1989545 |
J. Phys. Colloques 50 (1989) C5-377-C5-387
DOI: 10.1051/jphyscol:1989545
MICROSTRUCTURE OF CVD - Al2O3
C. CHATFIELD, J.N. LINDSTRÖM et M.E. SJÖSTRANDAB Sandvik Coromant, Box 42056, S-126 12 Stockholm, Sweden
Résumé
Les mécanismes de la réaction de CVD-Al2O3 sont brièvement examinés. Deux chemins de réaction indépendants existent, un, dont la limitation de vitesse dépend d'une réaction volumétrique et un dépendant d'une réaction superficielle. Al2O3 cristallise sous plusieurs formes différentes. Le corindon de α-Al2O3 est la phase stable à la température de dépôt normale (950-1050°C). La phase métastable ϰ est la seconde phase la plus commune. On montre que ϰ - et θ - Al2O3 se forment sur les facettes de TiC (111) pur avec une relation d'orientation de réseaux bien définie entre ceux de TiC et Al2O3. Au contraire, aucune relation épitaxiale existe entre TiC et α-Al2O3 et la région de contact entre ceux-ci est d'une très grande porosité. La différence de propriété de la région de contact est vue par l'adhésion entre TiC et Al2O3. On conclut que la formation résultant en α-Al2O3 ne se produit pas sur TiC mais sur une couche mince intermédiaire d'oxyde de titane, par exemple Ti2O3 ou Ti3O5, qui se décompose pendant la croissance de Al2O3.
Abstract
The reaction mechanisms of CVD-Al2O3 are briefly reviewed. Two independent reaction paths exist, one of which is rate limited by a volume reaction and the second one by a surface reaction. Al2O3 crystallizes in several different phases. The α-structure is the stable phase at normal deposition temperature (950-1050°C). The metastable ϰ-phase is the second most commonly occurring phase. It is shown that ϰ - and θ - Al2O3 nucleate on pure TiC (111) facets with well defined lattice orientation-relationships between TiC and Al2O3. In contrast, no epitaxial relationship between TiC and α-Al2O3 is found and the latter interface contains a considerable amount of porosity. The difference in the interface properties is reflected in the adhesion between TiC and Al2O3. It is concluded that the nucleation resulting in α-Al2O3 does not occur on TiC but on an intermediate thin layer of titanium oxide e.g. Ti2O3 or Ti3O5, which is dissolved during the subsequent Al2O3 growth.