Actes de la 7ème Conférence Européenne sur les Dépôts Chimiques en Phase Gazeuse / Proceedings of the Seventh European Conference on Chemical Vapour Deposition

J. Phys. Colloques 50 (1989) C5-343-C5-351
DOI: 10.1051/jphyscol:1989541

CARACTÉRISATION DE COUCHES MINCES DE VERRES DE CHALCOGENURE PRÉPARÉES PAR PECVD

B. CROS¹, H. CAMON², Y. BROCHETON³, J.P. GONCHOND³, A. TISSIER³, J.L. BALLADORE² et M. RIBES<sup>1

1</sup>  Laboratoire de Physicochimie des Matériaux Solides, UA-407, Université des Sciences et Techniques du Languedoc, Place Eugène-Bataillon, F-34060 Montpellier Cedex 1, France
²  Laboratoire d'Optique Electronique du CNRS, 29, rue Jeanne Marvig, F-31055 Toulouse, France
³  CNET-Grenoble, BP. 98, chemin du Vieux-Chêne, F-38243 Meylan, France

Résumé
Des couches minces de verres de chalcogénure, de compositions GeSe₃ et GeSe_5,5, déposées par PECVD sont caractérisées par différentes techniques de microscopie électronique. La structure hétérogène mise en évidence sur le matériau de composition GeSe_5,5 paraît également exister pour la composition GeSe₃. L'apport de la technique de dépôt par PECVD pour préparer des couches minces en vue d'applications microlithographiques est discuté.

Abstract
Thin films of chalcogenide glasses, with GeSe₃ and GeSe_5.5 compositions, were prepared by PECVD. They were characterized by various techniques of electronic microscopy. The heterogeneous structure, which appears at the GeSe_5.5 composition, seems also to exist for the GeSe₃ composition. The influence of the PECVD method on the microlithographic applications of this films is discussed.