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J. Phys. Colloques
Volume 50, Number C5, Mai 1989
Actes de la 7ème Conférence Européenne sur les Dépôts Chimiques en Phase Gazeuse / Proceedings of the Seventh European Conference on Chemical Vapour Deposition
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| Page(s) | C5-149 - C5-153 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1989521 | |
J. Phys. Colloques 50 (1989) C5-149-C5-153
DOI: 10.1051/jphyscol:1989521
STUDY OF THE PREPARATION OF HIGH Tc SUPERCONDUCTING YBCO THIN FILMS BY A PLASMA-ASSISTED MOCVD PROCESS
DING-KUN PENG1, GUANG-YAO MENG1, CHUN-BAO CAO1, CHUN-LIN WANG1, QI FANG1, YUE-HUAN WU2 et YU-HENG ZHANG31 Department of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui, China
2 Department of Modern Chemistry, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui, China
3 Department of Physics, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui, China
Résumé
Une méthode de CVD organométallique assistée par plasma a été développée pour préparer des films minces supraconducteurs (YBaCuO) à température inférieure à 400°C. L'étude préliminaire a montré que les films recuits "in situ" ou non recuits, ont une structure orthorhombique, de composition approximative YBa2Cu3O7 - x sous certaines conditions. Dans le cas d'un film déposé sur un substrat en verre, une chute de résistance de 90% entre 110K et 77K a été obtenue. L'influence des paramètres de dépôt a été examinée.
Abstract
A plasma assisted MOCVD technique was developed to prepare Y-Ba-Cu-O superconducting thin films at low temperature, typically below 400°C. The preliminary result showed that the asdeposited or in situ plasma annealed films on a number of substrates exhibited orthorhombic structure, and of approximate YBa2Cu3O7-x composition under proper operating conditions. A resistance drop of 90% at 77 K with the onset above 110 K was obtained in a film deposited on glass substrate. The deposition behaviour and the influence of deposition parameters on the deposites were also examined.