THERMODYNAMIC CALCULATION OF THE TWO PHASED DEPOSITION DOMAINS WITH SiC IN THE Si-Ti-C-Cl-H CHEMICAL SYSTEM

Résumé
Dans le système Si-Ti-C, les nouveaux matériaux dispersoïdes à base de carbure de silicium suscitent un vif intérêt dans la recherche de l'amélioration de la ténacité. L'étude thermodynamique du système chimique complexe Si-Ti-C-Cl-H a permis de représenter les domaines de dépôt des équilibres biphasés SiC-TiC et SiC-Ti₃SiC₂ dans le repère des paramètres de variance. Pour une composition donnée de la phase gazeuse à l'équilibre, la composition de la phase condensée peut varier dans des proportions importantes en fonction du mélange gazeux initial. A partir de cette unique représentation, les domaines de depôt sont déduits pour un mélange gazeux initial quelconque.

Abstract
New ceramic materials with dispersed phases within a silicium carbide matrix in the Ti-Si-C chemical system seem very attractive to improve toughness properties. Deposition domains of SiC-TiC and SiC-Ti₃SiC₂ are determined by thermodynamic calculation in the Si-Ti-C-Cl-H chemical complex system, and presented in the coordinate system of the variance parameters. The representation of these domains in the coordinate system of the initial gas mixture is then easily deduced whatever the bearing molecule considered. For a given composition of the gas mixture at equilibrium the ratio between the deposited phases can present very large variations according to the initial gas-mixture.