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J. Phys. Colloques
Volume 48, Number C6, Novembre 1987
34th International Field Emission Symposium / 34ème Symposium International d'Emission de Champ
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| Page(s) | C6-91 - C6-96 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1987615 | |
J. Phys. Colloques 48 (1987) C6-91-C6-96
DOI: 10.1051/jphyscol:1987615
EFFECT OF THE TIP/SAMPLE-SURFACE ELECTRONIC STATES AND THE ELECTRON-PHONON COUPLING ON THE TUNNELING CURRENT IN STM
M. Tsukada1, N. Shima1, S. Ohnishi2 et Y. Chiba21 Department of Physics, Faculty of Science, University of Tokyo, Bunkyo-ku, Tokyo, Japan
2 NEC Fundamental Research Laboratories, Miyazaki 4-1-1, Miyamae-ku, Kawasaki, Japan
Résumé
Nous proposons une théorie utilisant le formalisme des fonctions de Green pour le courant tunnel des expériences de STM. Les fonctions d'onde de la pointe et de la surface y sont traitées de manière analogue. La décomposition du courant en une some de fonctions de Green de surface multipliées par le facteur de recouvrrement pointe/surface constitue un outil analytique utile pour étudier les effects non-linéaires et à n-corps. Des résultats numériques sont donnés pour le système modèle : pointe de tungstène/surface de silicium (100). Ils révèlent l'effet des ètats èlectroniques microscopiques sur le courant tunnel.
Abstract
A systematic Green's function theory of the tunneling current in STM is proposed, in which the wave functions on the tip and the sample surface are treated on equal footing. The decomposition of the tunneling current into the sum over the surface Green's functions multiplied by the tip/surface overlapping factors provides a useful analytical tool for the study of the non-linear and the many body effect. Some numerical results for the W-tip/Si(100) surface model system are given, which reveal the effect of the microscopic electronic states on the tunneling current.