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J. Phys. Colloques
Volume 48, Number C5, Novembre 1987
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures
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| Page(s) | C5-419 - C5-422 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1987589 | |
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures
J. Phys. Colloques 48 (1987) C5-419-C5-422
DOI: 10.1051/jphyscol:1987589
Institut für Theoretische Physik, Universität Regensburg, D-8400 Regensburg, F.R.G.
J. Phys. Colloques 48 (1987) C5-419-C5-422
DOI: 10.1051/jphyscol:1987589
SUBBAND STATES IN INVERSION LAYERS FROM SINGLE AND MULTIPLE BAND CALCULATIONS
F. MALCHER, A. ZIEGLER, U. RÖSSLER et G. LOMMERInstitut für Theoretische Physik, Universität Regensburg, D-8400 Regensburg, F.R.G.
Résumé
Nous présentons des calculs self-consistants de sous-bandes pour des d'inversion sur InSb et HgCdTe en utilisant un modèle à bandes simple (2x2) et un modèle à bandes multiples (8x8). Les séparations des sous-bandes et les énergies de Fermi obtenues sont indépendantes du modèles.
Abstract
Selfconsistent subband calculations for inversion layers on InSb and HgCdTe are performed using a single (2x2) and a multiple band (8x8) model. We obtain subband separations and Fermi energies that are independent of the models.