Issue
J. Phys. Colloques
Volume 48, Number C5, Novembre 1987
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures
Page(s) C5-407 - C5-411
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1987587
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures

J. Phys. Colloques 48 (1987) C5-407-C5-411

DOI: 10.1051/jphyscol:1987587

MAGNETOLUMINESCENCE OF n-TYPE ONE-SIDE-MODULATION-DOPED QUANTUM WELLS

J. ORGONASI1, J.A. BRUM1, C. DELALANDE1, G. BASTARD1, T. RÖTGER2, J.C. MAAN2, G. WEIMANN3 et W. SCHLAPP3

1  Groupe de Physique des Solides de l'Ecole Normale Supérieure, 24, Rue Lhomond, F-75231 Paris Cedex 05, France
2  Max-Planck-Institut, Hochfeld Magnetlabor, B.P. 166X, F-38042 Grenoble, France
3  Forschungsinstitut der Deutschen Bundespost, D-6100 Darmstadt, F.R.G.


Résumé
Nous rendons compte d'expériences de photoluminescence à basse température (2 K) sur des puits quantiques, GaAs-Ga(Al)As à modulation de dopage, dans des champs magnétiques allant jusqu'à 20 T. La comparaison entre la théorie et l'expérience révèle le fort couplage entre les bandes de valence, des oscillations surprenantes sont observées sur l'énergie des transitions de basse énergie.


Abstract
We report magnetoluminescence experiments in a one-side-modulation-doped quantum well performed at 2 K in field up to 20 T. A comparison between calculations and experiments, points out the strong coupling between the valence subbands. Surprising oscillations are observed on lower lying transitions.