ADMITTANCE CHARACTERISTICS OF NARROW GAP Hg_1-xCd_xTe n-p-n AND p-n-p TRIPLE LAYER STRUCTURES

Résumé
L'anomal propriété d'admittance pour HgCdTe de bande étroite a une structure de triple couches n-p-n (ou p-n-p) a été étudiée. L'admittance pour cette structure de triple couches a été calculée en utilisant un simple modèle théorique. En même temps, on a discuté la possibilité de la fabrication d'un détecteur infrarouge en employant cette propriété particulière.

Abstract
The anomalous admittance properties of the narrow gap Hg_1-xCd_xTe n-p-n and p-n-p triple layer structures are reported and investigated. The admittance for this triple layer structure is calculated by the use of a simplified theoretical model. The possibility of making a new kind of infrared detector by use of these particular properties is also discussed.