BINDING ENERGIES AND CAPTURE OF ELECTRONS, HOLES AND EXCITONS ON QUANTUM WELL INTERFACE DEFECTS

Résumé
Nous avons calculé les énergies de liaison des électrons, des trous et des excitons sur un défaut d'interface de puits quantique, modélisé par une protubérance cylindrique. L'effet sur ces énergies de l'application d'un champ électrique a été étudié. Par ailleurs, nous avons examiné les temps de capture d'un porteur ou d'un exciton par une distribution de défauts, lorsque la capture est assistée par l'émission d'un phonon acoustique.

Abstract
We have calculated the binding energies of electrons, holes and excitons on a quantum well interface defect, modelled by a cylindrical protusion. The effect of an electric field on these interface bound states has been studied. Besides, we have examined the capture time of a carrier or an exciton by uncorrelated defects when the capture is mediated by acoustical phonon emission.