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J. Phys. Colloques
Volume 48, Number C5, Novembre 1987
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures
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| Page(s) | C5-179 - C5-182 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1987535 | |
J. Phys. Colloques 48 (1987) C5-179-C5-182
DOI: 10.1051/jphyscol:1987535
STARK EFFECT IN QUANTUM WELLS : RAMAN SCATTERING BY INTERSUBBAND TRANSITIONS
K. BAJEMA1, R. MERLIN1, F.-Y. JUANG2, S.-C. HONG2, J. SINGH2 et P.K. BHATTACHARYA21 Department of Physics, The University of Michigan, Ann Arbor, MI 48109-1120, U.S.A.
2 Department of Electrical Engineering and Computer Science, The University of Michigan, Ann Arbor, MI 48109-2122, U.S.A.
Résumé
Nous avons étudié l'effet d'un champ électrique sur la transition inter-sous-bande co→c1, dans un puits quantique GaAs-Alo3Gao7As de 264 A, par spectrométrie Raman. Les résultats experimentaux sont en très bon accord avec les prédictions théoriques. La largeur des transitions coc1, est à peu près indépendante du champ électrique, contrairement à l'élargissement prononcé observé par des resonances éxcitoniques. Ce phénomène est attribué à un effet de désordre structurel.
Abstract
The electric-field dependence of co→c1, intersubband transitions of photoexcited electrons has been studied in a 264 A GaAs-Alo3Gao7As quantum-well structure using Raman spectroscopy. Experimental results for the Stark shifts are in very good agreement with theoretical predictions. In contrast to the enhanced broadening shown by exciton resonances,the width of co→c1 is nearly independent of the field. This feature is attributed to effects of structural disorder.