Issue
J. Phys. Colloques
Volume 48, Number C5, Novembre 1987
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures
Page(s) C5-143 - C5-146
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1987527
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures

J. Phys. Colloques 48 (1987) C5-143-C5-146

DOI: 10.1051/jphyscol:1987527

OPTICAL INVESTIGATION OF InGaAs-InP QUANTUM WELLS

D. MORONI, J.N. PATILLON, E.P. MENU, P. GENTRIC et J.P. ANDRÉ

LEP, 3, Avenue Descartes, F-94450 Limeil-Brévannes, France


Résumé
Les propriétés optiques des puits quantiques IN0.53Ga0.47As/InP, réalisés par épitaxie aux organo-métalliques à pression atmosphérique, ont été étudiées à l'aide d'expériences de photoluminescence et d'excitation de photoluminescence. L'origine de la luminescence a été déterminée en étudiant l'influence de la température et de la puissance d'excitation. A 2 K la luminescence est excitonique, alors que, au dessus de 100 K, on observe uniquement les recombinaisons de porteurs libres. La capture est presque indépendante de l'épaisseur du puits, alors que l'efficacité rediative, très importante, augmente lorsque le puits se rétrécit.


Abstract
The optical properties of In0.53Ga0.47As/InP quantum wells have been investigated using photoluminescence and photoluminescence excitation techniques. The materials were grown by atmospheric pressure metalorganic vapor phase epitaxy. The nature of the luminescence has been determined by studying the PL dependence on temperature and excitation power. It is found to be mainly due to exciton recombination at 2 K and above 100 K to free carrier recombination. The capture efficiency is almost independent of well thickness whereas the radiative efficiency, which is very good, increases when well width decreases.