Issue
J. Phys. Colloques
Volume 47, Number C8, Décembre 1986
EXAFS and Near Edge Structure IV
Page(s) C8-431 - C8-434
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1986887
EXAFS and Near Edge Structure IV

J. Phys. Colloques 47 (1986) C8-431-C8-434

DOI: 10.1051/jphyscol:1986887

THE LOCAL STRUCTURE IN THE MIXED CHALCOPYRITE CuGax In1-xSe2

G. ANTONIOLI1, S. BINI1, P.P. LOTTICI1 et C. RAZZETTI2

1  Dipartimento di Fisica dell'Università and GNSM-CNR, CISM-MPI, I-43100 Parma, Italy
2  and MASPEC-CNR Institute, I-43100 Parma, Italy


Résumé
La structure de plus proches voisins dans l'alliage chalcopyrite pseudoternaire CuGaxIn1-x Se2 a été étudiée par EXAFS sur les seuils K de Cu, Ga et Se. Les distances de liaison en fonction de la composition ont été déterminées et nous avons calculé le paramètre de distorsion u(x) spécifiant la position de l'anion dans la maille unitaire. Nous avons trouvée une variation non-linéaire de u(x), causée par une variation de la distance Ga-Se. Ceci donne une contribution structurale à la dépendance non-linéaire avec la composition de la gap optique, en analogie avec le comportement des alliages pseudobinaires.


Abstract
The nearest neighbour structure in the pseudoternary chalcopyrite alloy CuGaxIn1-x Se2 has been investigated by EXAFS measurements on Cu, Ga and Se K-edges. Bond lengths have been determined as a function of composition and the internal distortion parameter u(x), which specifies the anion position in the unit cell, has been calculated. We have found a nonlinear variation of u(x), due to a relatively large variation of the Ga-Se bond length. This effect may give rise to a structural contribution to the optical gap nonlinearity observed in this alloy, in analogy to what found in pseudobinary systems.