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J. Phys. Colloques
Volume 46, Number C7, Octobre 1985
Fifth International Conference on Dynamical Processes in the Excited States of Solids / Dynamique des Etats Excités dans les Solides
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| Page(s) | C7-179 - C7-183 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1985734 | |
J. Phys. Colloques 46 (1985) C7-179-C7-183
DOI: 10.1051/jphyscol:1985734
DYNAMICS OF LOCALIZED EXCITONS IN MIXED SEMICONDUCTING CRYSTALS
A. Nakamura1, M. Shimura1, M. Hirai1 et S. Nakashima21 Department of Applied Physics, Faculty of Engineering, Tohoku University, Sendai 980, Japan
2 Department of Applied Physics, Faculty of Engineering, Osaka University, Suita 565, Japan
Résumé
Nous présentons une étude expérimentale de la dynamique des excitons localisés dans les alliages semiconducteurs (Cdx Znl-x Te : x = 0.32) par spectroscopie subnanoseconde aux températures comprises entre 1.8 K et 21 K. Des excitons sont localisés au-dessous "d'un seuil effectif" et mobiles au-delà. Sous excitation resonante, nous avons mis en évidence, pour la première fois, la transition continue de diffusion Raman résonant dans la luminescence des alliages semiconducteurs en fonction des énergies incidentes.
Abstract
We report an experimental study of dynamical behavior of localized excitons in Cdx Znl-xTe mixed semiconducting crystal by sub-nanosecond spectroscopy at temperatures 1. 8K to 21K. It is shown that excitons are effectively localized below "an effective edge" and mobile above it, having a higher transfer rate into the tail state. With resonant excitation, we find for the first time the continuous transition of resonant Raman scattering to luminescence in mixed crystals as a function of incident energies.