STRESS-RELATED PHENOMENA AT GROOVING EDGES IN HETEROEPITAXIAL GARNET FILMS

Résumé
La structure des parois entre domaines dans des couches de grenat orientées selon (111), avec des anisotropies magnétiques et des champs locaux associés aux changements brusques dans l'épaisseur de la couche, est étudiée théoriquement en utilisant la méthode de RITZ. La structure interne des parois entre domaines obtenues dans le voisinage immédiat des bords de sillons est déformée. Si le profil d'épaisseur d'une couche de grenat est utilisé pour établir un potentiel à une dimension en vue de la propagation des lignes de Bloch verticales dans une mémoire à lignes de Bloch, les forces nécessaires au déplacement des parois y seront un peu plus fortes que pour les parois qui se trouvent loin de tels changements brutaux d'épaisseur.

Abstract
The domain wall structures in (111)-oriented garnet films with local magnetic anisotropies and fields at abrupt changes in film thickness are investigated theoretically using the RITZs method. It is found that the internal structure of domain walls in the immediate vicinity of grooving edges is distorted. Since a topographic shaping of a garnet film is used for setting a one-dimensional potential for vertical Bloch line propagation in the Bloch line memory, the actual forces required to move the wall will be somewhat higher as compared to walls far away of such abrupt changes in film thickness.