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J. Phys. Colloques
Volume 45, Number C5, Avril 1984
International Conference on the Dynamics of Interfaces / Conférence Internationale sur la Dynamique des Interfaces
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| Page(s) | C5-131 - C5-137 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1984519 | |
International Conference on the Dynamics of Interfaces / Conférence Internationale sur la Dynamique des Interfaces
J. Phys. Colloques 45 (1984) C5-131-C5-137
DOI: 10.1051/jphyscol:1984519
1 Department of Physics
2 Materials Research Laboratory
3 Coordinated Science Laboratory
4 University of Illinois at Urbana-Champaign, Urbana, IL 61801, U.S.A.
5 Department of Electrical Engineering, University of Illinois at Urbana-Champaign, Urbana, IL 61801, U.S.A.
J. Phys. Colloques 45 (1984) C5-131-C5-137
DOI: 10.1051/jphyscol:1984519
RAMAN PROBING OF PHONONS AND INTERFACES IN SEMICONDUCTOR SUPERLATTICES
M.V. Klein1, 2, 3, 4, C. Colvard1, 2, 4, R. Fischer3, 5, 4 et H . Morkoç3, 5, 41 Department of Physics
2 Materials Research Laboratory
3 Coordinated Science Laboratory
4 University of Illinois at Urbana-Champaign, Urbana, IL 61801, U.S.A.
5 Department of Electrical Engineering, University of Illinois at Urbana-Champaign, Urbana, IL 61801, U.S.A.
Résumé
Dans cet article, nous présentons des mesures de diffusion Raman dans un grand nombre de superréseaux. Les fréquences observées sont en accord avec un modèle élastique décrivant un matériel construit avec des couches alternées. Un modèle continu décrivant les intensités observées par diffusion Raman s'applique bien dans des conditions non-résonnantes.
Abstract
Raman measurements on a large number of GaAs-AlxGa1-xAs superlattices are presented. The observed frequencies are in agreement with the model of a layered elastic continuum. A continuum model for the Raman intensities seems valid for the case of nonresonant excitation.