Issue
J. Phys. Colloques
Volume 44, Number C10, Décembre 1983
Conférence Internationale sur Ellipsométrie et autres Méthodes Optiques pour l'Analyse des Surfaces et Films Minces / Ellipsometry and other Optical Methods for Surface and Thin Film Analysis
Page(s) C10-277 - C10-280
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:19831058
Conférence Internationale sur Ellipsométrie et autres Méthodes Optiques pour l'Analyse des Surfaces et Films Minces / Ellipsometry and other Optical Methods for Surface and Thin Film Analysis

J. Phys. Colloques 44 (1983) C10-277-C10-280

DOI: 10.1051/jphyscol:19831058

ELECTROMIGRATION IN d.c. ELECTROLUMINESCENT THIN FILMS OF ZnS

G. M. Jakubowska

Institute of Physics, Technical University of Pozna, 60-965 Pozna, Poland


Résumé
On propose d'expliquer la dégradation de l'émission de lumière par des structures ZnS électroluminescentes par la migration d'ions cuivre. Celle-ci affecte les propriétés de la couche au voisinage de l'électrode positive qui devient brillante. Des modifications de la surface de l'électrode et la précipitation de quantités importantes de cuivre ont été observées par microscopie optique et électronique.


Abstract
The degradation of the light emission from electroluminescent /EL/ ZnS structures is tentatively explained in terms of copper ion migration. The migration of copper ions affects the properties of the layer close to the positive electrode which appears bright. Some changes in the electrode surface and the precipitation of substantial amounts of copper were observed by means of the optical and electron microscopes.