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J. Phys. Colloques
Volume 44, Number C10, Décembre 1983
Conférence Internationale sur Ellipsométrie et autres Méthodes Optiques pour l'Analyse des Surfaces et Films Minces / Ellipsometry and other Optical Methods for Surface and Thin Film Analysis
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| Page(s) | C10-253 - C10-256 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19831053 | |
J. Phys. Colloques 44 (1983) C10-253-C10-256
DOI: 10.1051/jphyscol:19831053
INTERACTIONS OF Si (III) SURFACE WITH H2, NH3, SiH4 MULTIPOLAR PLASMAS STUDIED BY IN SITU ELLIPSOMETRY
Y. Demay, P. Maurel et S. GourrierLaboratoires d'Electronique et de Physique Appliquée, 3, Avenue Descartes, 94450 Limeil Brévannes, France
Résumé
Un système ultra vide formé d'une chambre plasma couplée à une chambre d'analyse permet l'étude de l'interaction de différents plasmas multipolaires (NH3-H2-SiH4) avec la surface (1,1,1) de silicium. Les cinétiques d'interaction peuvent être suivies en temps réel par ellipsométrie "in situ" à 310 nm. Le même appareillage permet d'analyser l'échantillon par ellipsométrie spectroscopique. La chambre d'analyse est équipée d'un spectromètre Auger (CMA) et d'un système RHEED.
Abstract
An ultra high vacuum system consisting in a plasma chamber and an analysis chamber is used to study the interactions of various multipolar plasmas (NH3- H2SiH4) with Si surfaces. The kinetics of interaction can be followed in real time by in situ ellipsometry at 310 nm. Using the same set up the sample can be analyzed in situ by spectroscopic ellipsometry. The analysis chamber is equipped with an Auger spectrometer (CMA) and a RHEED set up.