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J. Phys. Colloques
Volume 44, Number C5, Octobre 1983
Interactions Laser-Solides, Recuits par Faisceaux d'Energie / Laser-Solid Interactions and Transient Thermal Processing of Materials
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| Page(s) | C5-449 - C5-454 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983566 | |
J. Phys. Colloques 44 (1983) C5-449-C5-454
DOI: 10.1051/jphyscol:1983566
PULSED LASER IRRADIATION OF NICKEL THIN FILMS ON SILICON
P. Baeri1, M.G. Grimaldi1, E. Rimini1 et G. Celotti21 Istituto Dipartimentale di Fisica, 57 Corso Italia, 195129 Catania, Italy
2 LAMEL-CNR, Via dei Castagnoli 1, 40100 Bologna, Italy
Résumé
L'irradiation de laser pulsé a été utilisée pour la formation de silicide dans des couches minces de Nickel déposées sur des substrats de silicium orienté <100> et <111>. Des couches de silicide NiSi2 epitaxial ont été obtenues par une valeur proportionnée de densité d'énergie d'impulsion d'un laser à verre de Nd à 30 ns dans le cas d'une couche de 15 nm d'épaisseur. L'irradiation de couches plus épaisses de Ni ou contraire a formé plusieurs silicides de composition nonuniforme. La comparaison des résultats expérimentaux avec les calculs donne une indication que la réaction entre le métal et le silicium commence à l'interface et à une température bien au dessous du point de fusion du Nickel ou du Silicium.
Abstract
Pulsed laser irradiation was used to induce silicide formation in nickel thin films deposited onto <100> and <111> oriented silicon substrates. Epitaxial NiSi2 silicide layers are obtained by a suitable energy density value of the 30 ns Nd glass laser pulse in the case of a 15 nm thick layer. Irradiation of thicker Ni layers formed instead silicides of nonuniform composition. The comparison of experimental results with calculations indicates that the reaction between the metal and the silicon layer starts at the interface and at a temperature well below the melting point of Ni or Si.