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J. Phys. Colloques
Volume 44, Number C5, Octobre 1983
Interactions Laser-Solides, Recuits par Faisceaux d'Energie / Laser-Solid Interactions and Transient Thermal Processing of Materials
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| Page(s) | C5-439 - C5-443 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983564 | |
J. Phys. Colloques 44 (1983) C5-439-C5-443
DOI: 10.1051/jphyscol:1983564
PRODUCTION OF SMALL OHMIC CONTACTS BY LASER PROCESSING FOR Si AND GaAs DEVICES
H. Kräutle, M. Schröder et H. BenekingInstitute of Semiconductor Electronics, Technical University, Aachen, F.R.G.
Résumé
Le recuit local de contacts de petite dimension sur une couche de Si et GaAs a été réalisé à l'aide d'un laser continu focalisé (Ø = 3 µm, 0,5W) sans affecter les contacts Schottky situés quelques µm à coté des parties irradiées. Des contacts à base de Ti/Pt sur du silicium du type N ont montré une résistance inférieure à 10-6Ωcm2, des résistances de contact du Ti/AuGe/Pt sur une couche de GaAs du type N sont de l'ordre de 1.5.10-5 Ωcm2. Les résultats sont comparables à ceux obtenus pour des contacts recuit par une méthode conventionelle.
Abstract
Small contact patterns on Si and GaAs have been alloyed locally with a focused cw laser beam (Ø = 3µm, 0,5W), without affecting Schottky contacts few µm apart the irradiated areas. Contact resistances of less than 10-6 Ωcm2 for Ti/Pt contacts on n-Si and 1.5.10-5 Ωcm2 for Ti/AuGe/Pt on contacts on n-GaAs have been obtained. Conventional alloyed contacts show similar values.