DÉFAUTS INDUITS DANS Si PAR IMPLANTATION DIRECTE OU A TRAVERS UNE COUCHE DE SiO₂

Résumé
Nous avons étudié, à des fins comparatives, les défauts induits dans le silicium lors de l'implantation ionique (Energie = 180keV, dose=10¹³at/cm²) dans deux cas : i) il y a interaction directe du faisceau d'ions avec Si : on détecte six types de centres. ii) ce dernier est protégé par une couche mince de SiO₂ d'épaisseur inférieure à 100nm : il n'y a que deux niveaux profonds observables dont l'un est en concentration élevée. La quasi unicité des défauts détectés paraît intéressante : meilleur choix des conditions de recuit, possibilité de réaliser en une seule opération le dopage du matériau et le contrôle de la durée de vie.

Abstract
We have made a compensative study of the defects created in silicon during ion implantation (Energy = 180keV, dose = 10¹³at/cm²) in the following two cases : i) when there is a direct interaction of the ion beam with the silicon lattice : six types of centres are detected. ii) when the latter is shielded by a thin film of SiO₂ less than 100 nm : only two deep levels are observable of which one has a high concentration this feature is rather interesting : better choice of annealing condition, possibility of achieving in a single operation the doping of the material and the controle of the lifetime.