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J. Phys. Colloques
Volume 43, Number C9, Décembre 1982
Physics of Non Crystalline SolidsProceedings of the 5th International Conference / Physique des Solides Non Cristallins Comptes rendus du 5ème Congrès International |
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| Page(s) | C9-363 - C9-364 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982970 | |
Physics of Non Crystalline Solids
Proceedings of the 5th International Conference / Physique des Solides Non Cristallins
Comptes rendus du 5ème Congrès International
J. Phys. Colloques 43 (1982) C9-363-C9-364
DOI: 10.1051/jphyscol:1982970
Laboratoire de Physique des Solides Associé au CNRS, 118, Route de Narbonne, 31062 Toulouse Cedex, France
Proceedings of the 5th International Conference / Physique des Solides Non Cristallins
Comptes rendus du 5ème Congrès International
J. Phys. Colloques 43 (1982) C9-363-C9-364
DOI: 10.1051/jphyscol:1982970
RAMAN STUDY OF GEOMETRICAL DISORDER AT SEMICONDUCTORS SURFACES
R. Carles, J.B. Renucci, A. Zwick et M.A. RenucciLaboratoire de Physique des Solides Associé au CNRS, 118, Route de Narbonne, 31062 Toulouse Cedex, France
Résumé
Un désordre de nature géométrique est provoqué à la surface d'échantillons par un pollisage mécanique grossier. Son influence sur les propriétés vibroniques et électroniques de InSb, InAs et GaSb est discutée.
Abstract
Geometrical disorder is induced at the surface of samples by rough mechanical polishing. Its influence on both vibrational and electronic properties are reported in InSb, InAs and GaSb.