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J. Phys. Colloques
Volume 43, Number C9, Décembre 1982
Physics of Non Crystalline SolidsProceedings of the 5th International Conference / Physique des Solides Non Cristallins Comptes rendus du 5ème Congrès International |
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Page(s) | C9-323 - C9-326 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982960 |
Proceedings of the 5th International Conference / Physique des Solides Non Cristallins
Comptes rendus du 5ème Congrès International
J. Phys. Colloques 43 (1982) C9-323-C9-326
DOI: 10.1051/jphyscol:1982960
CORRELATION BETWEEN ELECTRICAL AND VIBRATIONAL PROPERTIES OF CHLORINATED AND HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON PREPARED BY GLOW DISCHARGE
S. Al Dallal, J. Chevallier, S. Kalem et J. BourneixLaboratoire de Physique des Solides, CNRS, 1, Place A. Briand, 92190 Meudon-Bellevue, France
Résumé
Des mesures de conductivité électrique et de transmission dans l'infrarouge ont été effectuées sur des couches de silicium amorphe hydrogéné et chloré préparées par décharge luminescente. En augmentant la puissance délivrée au plasma, nous avons observé un changement dans le mécanisme de transport, accompagné par une évolution des bandes induites par l'hydrogène et le chlore. Apartir de cette corrélation entre le mécanisme de transport des porteurs de charge et le spectre de transmission dans l'infrarouge nous suggérons que l'évolution de la concentration d'espèces SiCl2 avec la puissance délivrée au plasma est principalement responsable du changement de densité d'états dans la bande interdite et par conséquent du changement de mécanisme de transport.
Abstract
Electrical conductivity and infrared transmission measurements have been carried out on chlorinated and hydrogenated amorphous silicon films prepared by glow discharge. Upon increasing the plasma power, we observed a change of transport mechanism, accompanied by an evolution of hydrogen and chlorine related bands. From this correlation between the transport and the infrared data we suggest that the evolution of SiCl2 species with the plasma power is mainly responsible for the change in bandgap states density and consequently in the transport mechanism.