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J. Phys. Colloques
Volume 43, Number C1, Octobre 1982
Colloque International du C.N.R.S. sur les Semiconducteurs Polycristallins / Polycrystalline Semiconductors
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| Page(s) | C1-381 - C1-385 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982151 | |
J. Phys. Colloques 43 (1982) C1-381-C1-385
DOI: 10.1051/jphyscol:1982151
MODELISATION DE TRANSISTORS MOS RÉALISÉS DANS DU SILICIUM POLYCRISTALLIN A GROS GRAINS
H. Morel1, J.P. Colinge2 et J.P. Chante11 Laboratoire d'Electronique, Automatique et Mesures Electriques de l'Ecole Centrale de Lyon, E.R.A. n°661, "Génie Electronique", 36 avenue de Collongue, B.P. 163, 69131 Ecully Cedex, France
2 CNET, BP 42, 38240 Meylan, France
Résumé
L'influence de joints de grains situés dans le canal de transistors MOS sur les caractéristiques de ces transistors est étudiée. Il s'agit de dispositifs réalisés dans du silicium polycristallin à gros grains (quelques microns), matériau obtenu par recristallisation laser de films de polysilicium sur isolant (SiO2). Une modélisation bidimensionnelle de la courbure des bandes au voisinage du joint de grain a été réalisée, rendant possible le calcul des courants de diffusion et d'émission thermoionique à travers la barrière de potentiel induite par le joint de grain.
Abstract
The influence of grain boundaries located in the channel of MOSFET on the electrical characteristics of these devices has been investigated. The transistors are made in large grain (a few microns) polycrystalline silicon obtained by laser recrystallizing polysilicon on insulator (SiO2). A 2-D simulation of band curvature near a grain boundary has been carried out, making it possible to compute both diffusion and thermionic emission currents through the potential barrier induced by the grain boundary.