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J. Phys. Colloques
Volume 43, Number C1, Octobre 1982
Colloque International du C.N.R.S. sur les Semiconducteurs Polycristallins / Polycrystalline Semiconductors
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| Page(s) | C1-253 - C1-258 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982135 | |
J. Phys. Colloques 43 (1982) C1-253-C1-258
DOI: 10.1051/jphyscol:1982135
TEM AND RBS STUDIES OF THE REGROWTH OF ARSENIC IMPLANTED POLYSILICON DUE TO AN OXIDATION DRIVE-IN
M.C. Wilson1, P. Ashburn2, B. Soerwirdjo2, G.R. Booker1 et P. Ward31 Department of Metallurgy & Science of Materials, University of Oxford, Parks Road, Oxford Ox1 3PH, England
2 Department of Electronics, The University, Southampton S09 SNH, England
3 Plessey Research (Caswell) Ltd, The Allen Clark Research Centre, Caswell, Towcester, Northante NN12 8EQ, England
Résumé
Des couches de silicium polycristallin de 140 nm d'épaisseur ont été déposées sur des lames de silicium d'orientation (100), implantées avec des ions arsenic (40keV, 5 x 1015 cm-2) et recuites sous atmosphère sèche d'oxygène à 1000°C. Des études par microscopie électronique en transmission et par rétrodiffusion de particles α ont montré qu'initialement les grains croissent, puis qu'ensuite ils recristallisent en donnant un matériau monocrystallin. Le temps pendant lequel la recrystallisation s'effectue dépend du traitement appliqué à la lame de silicium immédiatement avant la déposition du silicium polycristallin. Les structures obtenues et les distributions en arsenic sont décrites et discutées.
Abstract
Polysilicon layers 140 nm thick were deposited onto (100) silicon slices, implanted with 5 x 1015 cm-2, 40keV arsenic ions, and given a dry oxygen drive-in at 1000°C. TEM and RBS studies showed that the polycrystalline grains initially coarsened and subsequently regrew to give single-crystal material. The time taken for the regrowth to occur depended on the treatment given to the silicon slice immediately prior to the polysilicon deposition. The resulting structures and arsenic distributions are described and discussed.