Issue
J. Phys. Colloques
Volume 43, Number C1, Octobre 1982
Colloque International du C.N.R.S. sur les Semiconducteurs Polycristallins / Polycrystalline Semiconductors
Page(s) C1-187 - C1-192
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982125
Colloque International du C.N.R.S. sur les Semiconducteurs Polycristallins / Polycrystalline Semiconductors

J. Phys. Colloques 43 (1982) C1-187-C1-192

DOI: 10.1051/jphyscol:1982125

GRAIN BOUNDARY SEGREGATION IN SILICON HEAVILY DOPED WITH PHOSPHORUS AND ARSENIC

A. Carabelas1, D. Nobili2 et S. Solmi2

1  Democritus University of Thrace, Faculty of Engineering, Xanthi, Greece
2  CNR, Istituto LAMEL, Via Castagnoli, 1-40126 Bologna, Italy


Résumé
Dans ce travail on reporte la determination de la ségrégation dans le joints de grains de couches de silicium lourdement dopé avec As ou P et recuit a température entre 700 et 1050°C. On a verifié un taux de ségrégation tres haut ; le phenomène étant plus marqué avec l'As, probablement à cause de l'entropie en excès. La chaleur de ségrégation est 13 Kcal/mol, à peu près le même pour les deux dopants. On discute l'applicabilité du modèle de ségrégation dans le joints des grains aux solutions concentrés.


Abstract
Determinations of the grain boundary segregation in polycrystalline silicon films heavily doped with As or P were performed in the temperature range 700-1050°C. It was verified that a significant segregation takes place ; the phenomenon is more marked in the case of As, probably due to the excess entropy term. The heat of segregation Δ [MATH]B results ~13 kcal/mol, nearly the same for both dopants. The applicability of the models for grain boundary segregation to concentrated solutions is discussed.