Issue
J. Phys. Colloques
Volume 43, Number C1, Octobre 1982
Colloque International du C.N.R.S. sur les Semiconducteurs Polycristallins / Polycrystalline Semiconductors
Page(s) C1-21 - C1-25
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982104
Colloque International du C.N.R.S. sur les Semiconducteurs Polycristallins / Polycrystalline Semiconductors

J. Phys. Colloques 43 (1982) C1-21-C1-25

DOI: 10.1051/jphyscol:1982104

TEM INVESTIGATION OF GRAIN BOUNDARIES IN POLYCRYSTALLINE SILICON

Y.S. Oei, F.W. Schapink et S. Radelaar

Delft University of Technology, Laboratory of Metallurgy, Rotterdamseweg 137, 2628 AL Delft, The Netherlands


Résumé
Une étude par microscopie électronique en transmission de la structure de joints de grains dans du silicium polycristallin est présentée, pour deux types de joints voisins des désorientations de coïncidence Σ = 7 et Σ = 9. Dans le joint Σ = 7, un réseau de dislocations secondaires existe ainsi qu'une série de marches. Dans le joint Σ = 9, nous avons trouvé un système de franges α (causé par une translation des deux grains le long du plan du joint) et un réseau de dislocations secondaires dont la structure dépend des conditions de diffraction.


Abstract
The structure of two near-coincidence boundaries (close to a Σ = 7 and a Σ = 9 misorientation) occurring in commercial poly-silicon has been examined in TEM. Both the structure of secondary dislocation networks as well as the occurrence of α-fringes (indicating a relative translation of the crystals along the boundary) were investigated. The near Σ = 7 boundary is found to contain a simple network in addition to a regular array of steps. The near Σ = 9 boundary exhibits α-fringes and a dislocation network which appears as a different structure for different diffraction conditions.