HOT ELECTRON POPULATION INVERSION AND BULK NDC IN SEMICONDUCTORS

Résumé
L'inversion de population due à la transition radiative entre les sous-bandes de trous lourds et légers donne une conductivité différentielle négative, dans la bande submillimétrique et dans l'infrarouge lointain . Les procédés de création d'une surpopulation de trous légers, dans des échantillons de Ge-p pur, à basse température, soumis à de forts champs électriques et magnétiques sont discutés ici. La surpopulation de la sous-bande de trous légers est due à l'accumulation de trous légers dans des régions spécifiques de l'espace des moments où l'énergie des trous est plus faible que celle du phonon optique. Des résultats obtenus par une simulation de Monte-Carlo sur cette surpopulation sont aussi présentés ici.

Abstract
The population inversion of the radiative transition between light and heavy hole subbands results in negative differential conduvtivity in submillimetre and far infrared waveband. The means of producing of the light hole overpopulation in pure p-Ge samples at low lattice temperatures in strong electric and magnetic fields are discussed in the report. The overpopulation of light hole subband arises due to accumulation of light holes in the specific regions of the momentum space where the energy of holes is smaller than the optical phonon energy. The results of Monte Carlo simulation of the overpopulation are also presented in this report.