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J. Phys. Colloques
Volume 42, Number C7, Octobre 1981
Third International Conference on Hot Carriers in Semiconductors
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| Page(s) | C7-369 - C7-374 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1981745 | |
J. Phys. Colloques 42 (1981) C7-369-C7-374
DOI: 10.1051/jphyscol:1981745
DIRECT MEASUREMENT OF VELOCITY OVERSHOOT BY HOT-ELECTRON, SUBMILLIMETER WAVE CONDUCTIVITY IN Si INVERSION LAYERS
S.J. Allen Jr., D.C. Tsui, F. DeRosa, K.K. Thornber et B.A. WilsonBell Laboratories, Murray Hill, New Jersey 07974, U.S.A.
Résumé
Nous décrivons des mesures à large bande en ondes sousmillimétriques (5-30 cm-1) de la conductivité d'électron chaud dans un transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET) Si aux températures basses (~ 1.5 K). Le dépassement de vitesse est observé directement dans le domaine des fréquences. Par transformée de Fourier, la dynamique électronique est montrée sur une échelle de temps de .5 à 3.5 psec et ici le dépassement de vitesse est signalé aussi.
Abstract
We describe broadband (5-30 cm-1) submillimeter wave measurements of the hot electron conductivity in a Si metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor (MOSFET), at low temperatures (~ 1.5 K ) Velocity overshoot is directly observed in the frequency domain. By Fourier transform the electron dynamics are displayed on a time scale from .5 to 3.5 psecs and velocity overshoot revealed here as well.