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J. Phys. Colloques
Volume 42, Number C7, Octobre 1981
Third International Conference on Hot Carriers in Semiconductors
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Page(s) | C7-315 - C7-322 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1981738 |
J. Phys. Colloques 42 (1981) C7-315-C7-322
DOI: 10.1051/jphyscol:1981738
NONLINEAR CONDUCTIVITY IN QUASI-ONE-DIMENSIONAL ORGANIC CRYSTALS
E.M. Conwell et N.C. BanikXerox Webster Research Center, Webster, N.Y. 14580, U.S.A.
Résumé
Les fortes augmentations de la conductivité σ avec le champ électrique F, dès qu'il est de l'ordre de quelques V/cm ont été observées dans des conducteurs quasi-unidimensionnels comme le TTF-TCNQ à des températures inférieures à celle de la transition métal-semiconducteur. Parmi les explications avancées, on trouve, l'effet de la disparition de l'ancrage d'ondes de densité de charges ou de spin de défauts conducteurs (particulesφ) dans les ondes de densité de charge et de l'ionisation par impact d'impuretés par des porteurs chauds ; mais aucune de celles-ci n'est satisfaisante. Nous montrons que l'augmentation de mobilité due à une interaction décroissante des porteurs chauds avec les phonons rend bien compte de la première partie de l'augmentation de σ et nous prévoyons des mécanismes pour expliquer le reste de la variation.
Abstract
Large increases in conductivity σ with electric field F, starting at a few V/cm or less, have been observed in quasi-one-dimensional conductors such as TTF-TCNQ at temperatures below the metal-to-semiconductor transition. Among the explanations that have been suggested are depinned charge-or spin-density waves, conducting defects (φ-particles) in the charge-density waves and impact ionization of impurities by hot carriers, but none of these is satisfactory. We show that increase in mobility (due to decreased phonon scattering of hot carriers) accounts well for the early part of the increase in σ, and speculate on mechanisms for explaining the remainder.