Third International Conference on Hot Carriers in Semiconductors

J. Phys. Colloques 42 (1981) C7-235-C7-241
DOI: 10.1051/jphyscol:1981728

A SUGGESTION OF NOISE EXPERIMENT FOR SHOWING BALLISTIC TRANSPORT

P. Hesto¹, J.C. Vaissière², D. Gasquet², R. Castagné¹ et J.P. Nougier<sup>2

1</sup>  Institut d'Electronique Fondamentale, Laboratoire associé au C.N.R.S., LA 22 et Greco Microondes, Université Paris XI, 91405 Orsay, France
²  Université des Sciences et Techniques du Languedoc, Centre d'Etudes d'Electronique des Solides, Laboratoire associé au C.N.R.S., LA 21 et Greco Microondes, 34060 Montpellier Cedex, France

Résumé
La plupart des méthodes expérimentales tendant à mettre en évidence le régime quasi ballistique sont fondées sur la mesure de la survitesse. Nous suggérons une expérience permettant de mesurer la variation de bruit. Pour cela nous mettons en oeuvre une nouvelle méthode théorique de modélisation du courant de bruit S_iG dans la grille des FET, qui permet de montrer que S_iG est relié à la température de bruit du canal actif sous la grille.

Abstract
Most of the experimental methods intending to exhibit quasi ballistic regimes involve the measurement of velocity overshoot. We suggest an experiment in which the variation of the noise would be measured. For this purpose we set up a new theoretical method for modeling the noise current S_ig in the gate of FETs, which shows that S_iG is related to the noise temperature of the active channel under the gate.