Issue
J. Phys. Colloques
Volume 42, Number C7, Octobre 1981
Third International Conference on Hot Carriers in Semiconductors
Page(s) C7-33 - C7-49
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1981704
Third International Conference on Hot Carriers in Semiconductors

J. Phys. Colloques 42 (1981) C7-33-C7-49

DOI: 10.1051/jphyscol:1981704

MICROWAVE EXPERIMENTS INCLUDING AVALANCHE

V. Dienys et A. Dargys

Semiconductor Physics Institute, Lithuanian SSR, Academy of Sciences, Vilnius, USSR


Résumé
Dans cet exposé sommaire, on décrit les principes des techniques le plus souvent utilisées des micro-ondes destinées à l'étude des électrons chauds dans les semiconducteurss on présente aussi l'état actuel des recherches dans le domaine des électrons chauds effectuées dans le champ électrique des micro-ondes. On souligne surtout les expériences ou l'on utilise la spécifité d'échauffement par le champ des micro-ondes aussi bien que celles qui ont permis de compléter l'information concernant le champ électrique continu.


Abstract
The principles of the most popular microwave techniques for hot electron investigations in semiconductors are briefly described and the current status of hot electron investigations with microwaves is reviewed. The emphasis is put on the experiments which make use of the specific features of microwave heating or give an extra information in addition to that obtained from d.c. measurements.