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J. Phys. Colloques
Volume 42, Number C3, Juin 1981
The Interactions between Dislocations and Defects in Oxides
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| Page(s) | C3-67 - C3-72 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1981307 | |
J. Phys. Colloques 42 (1981) C3-67-C3-72
DOI: 10.1051/jphyscol:1981307
POINT DEFECTS AND HIGH TEMPERATURE CREEP OF CoO SINGLE CRYSTALS
A. Dominguez-Rodriguez1, M. Sanchez1, R. Marquez1, J. Castaing2 et C. Monty21 Departamento de Optica, Facultad de Ciencias, Sevilla, Spain
2 Laboratoire de Physique des Matériaux - C.N.R.S-Bellevue, 1, Place A. Briand, 92190 Meudon, France
Résumé
On a mesuré l'exposant m de la dépendance en pression partielle d'oxygène de la vitesse de fluage en régime stationnaire sur des monocristaux de CoO. m est positif et varie de 0,5 à 0,1 lorsque la température varie de 1100°C à 1400°C. A température constante m a tendance à augmenter avec la PO2 lorsque celle-ci passe de 1 Pa à 0,21 x 105 Pa. Ces résultats montrent que le défaut responsable de la diffusion de l'oxygène, qui gouverne la vitesse de fluage, est essentiellement un interstitiel d'oxygène. Ce défaut est à l'état neutre à 1100°C, probablement associé à d'autres défauts, notament des interstitiels d'oxygène chargés, aux températures plus élevées.
Abstract
The oxygen partial pressure dependence of the steady state creep rate was measured in Co0 single crystals. The exponent m in the relation [MATH] α PO2m is positive and decreases from 0.5 to 0.1 as the temperature increases from 1100°C to 1400°C. At constant temperature, m increases slightly when PO2 increases from 1 Pa to 0.21 x 105 Pa. These results indicate that the defect responsible for oxygen diffusion, which is assumed to control creep rate, is mainly an oxygen interstitial. This defect is neutral at 1100°C and probably associated with other defects like charged interstitials, at higher temperatures.