Formation of F centers and STE's in RbBr, RbI and KBr in picosecond range

Résumé
Les temps de formation des centres F(τ_F) et des excitons auto-piégés dans l'état ³Σ⁺_u(τ_STE) dans les cristaux de RbBr ont été mesurés sous-excitation par absorption à 2 photons du second harmonique d'un laser à rubis. τ_F = 27 ± 8 ps à 300 K et 30 ± 8 ps à 4 K. τ_STE n'est pas observé explicitement, mais apparaît être environ 30 ps. τ_F à 300 K et τ_STE à 4 K pour RbI sont égaux à 30 ± 10 ps. τ_F dans KBr à 300 K est égal à 20 ± 10 ps. De plus, les temps de croissance (τ₁) de l'émission σ ont été observés en utilisant un accélérateur linéaire. τ₁ = 10 ± 10 ps, 5 ± 4 ps, 10 ± 10 ps, 60 ± 10 ps respectivement pour KBr, KI, RbBr et RbI. Il est probable que la différence entre τ₁ et τ_F ou τ_STE soit due à la durée de tunneling entre l'état 2p et l'état 1s du STE.

Abstract
Formation times of F centers (τ_F) and self-trapped excitons at ³Σ⁺_u(τ_STE) in RbBr crystals have been measured under the excitation by two photon absorption of second harmonics from a ruby laser. τ_F is 27 ± 8 ps at RT and 30 ± 8 ps at LHeT. τ_STE is not explicitly observed, but appears to be around 30 ps. τ_F at RT and at τ_STE at LHeT in RbI are both 30 ± 10 ps. τ_F in KBr at RT is 20 ± 10 ps. In addition, the rise times (τ₁) of the σ emission have been observed by using a linear accelerator. τ₁ in KBr, KI, RbBr and RbI are 10 ± 10 ps, 5 ± 4 ps, 10 ± 10 ps, and 70 ± 10 ps at LHeT, respectively. The difference between τ₁ and τ_F or τ_STE is tentatively attributed to the time required for the tunneling from the 2p state to the 1s state of the STE.