The calculated defect structure of ZnO

Résumé
Les énergies des défauts fondamentaux dans ZnO sont calculées et comparées avec les résultats expérimentaux obtenus par Kroger. L'énergie correspondante à la bande de conduction est calculée en considérant des défauts neutres ou chargés. Les effets de dopage avec des impuretés cationiques : Li⁺, Na⁺, Al³⁺, Ga³⁺, In³⁺ et H⁺ sont analysés. Enfin les énergies associées aux centres F⁺ et F sont calculées théoriquement.

Abstract
We report the energies of the fundamental defects in ZnO and compare these with values that can be deduced from Kroger's analysis of the experimental data. We consider neutral, singly-charged and doubly-charged defects and from our analysis estimate the edge of the conduction band. We also consider the effect of dopants such as Li⁺, Na⁺, Al³⁺, Ga³⁺, In³⁺ and H⁺. Finally we consider the energetics involved in the formation of the F⁺ and F centres.