Issue
J. Phys. Colloques
Volume 41, Number C6, Juillet 1980
THIRD EUROPHYSICS TOPICAL CONFERENCE
LATTICE DEFECTS IN IONIC CRYSTALS
Page(s) C6-53 - C6-60
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1980615
THIRD EUROPHYSICS TOPICAL CONFERENCE
LATTICE DEFECTS IN IONIC CRYSTALS

J. Phys. Colloques 41 (1980) C6-53-C6-60

DOI: 10.1051/jphyscol:1980615

PLENARY SESSION.
Computer Modelling of Ionic Crystals

C. R. A. Catlow

Department of Chemistry, University College London, 20 Gordon Street, London WClH OAJ, England


Résumé
Nous résumons l'état actuel des calculs atomiques des défauts dans les cristaux ioniques. La méthodologie de base des calculs est décrite. Une attention particulière est donnée aux facteurs qui déterminent la fiabilité des calculs ; dans ce contexte, nous présentons une brève revue des potentiels interatomiques employés à l'heure actuelle dans les calculs atomistiques. Les différents types de simulation et les programmes actuellement disponibles sont décrits. Nous illustrons l'application des méthodes par des exemples empruntés aux domaines de la non-stoechiométrie, dommage d'irradiation et conduction superionique.


Abstract
In this paper we summarize the present status of atomistic simulation of defects in ionic crystals. The basic methodology of the calculations is described. Particular attention is given to the factors which determine the reliability of the calculations ; in this context, we present a short review of the interatomic potentials presently employed in atomistic calculations. The different types of simulation, and the available computer codes are briefly reviewed. We then illustrate the application of the methods, with examples taken from the fields of non-stoichiometry, radiation damage and superionic conduction.