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J. Phys. Colloques
Volume 41, Number C5, Juillet 1980
Colloque International du C.N.R.S sur les Semiconducteurs Magnétiques / Magnetic Semiconductors
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Page(s) | C5-317 - C5-323 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1980552 |
J. Phys. Colloques 41 (1980) C5-317-C5-323
DOI: 10.1051/jphyscol:1980552
THE LOCAL SPIN-DENSITY-FUNCTIONAL METHOD : APPLICATION TO THE METAL-INSULATOR TRANSITION IN DOPED SEMICONDUCTORS
A. Ghazali et P. Leroux-HugonLaboratoire de Physique des Solides C N R S, 92190 Meudon, France.
Résumé
On expose les principes de la méthode de la fonctionnelle de la densité locale de spin ainsi que son utilité pour étudier les systèmes d'électrons en interaction, en particulier ceux mettant en jeu des moments magnétiques localisés ; différentes applications de la méthode sont indiquées. On passe en revue les arguments expérimentaux en faveur de l'existence de moments localisés sur les impuretés chargées dans les semiconducteurs dopés. Utilisant le formalisme de la fonctionnelle de la densité, on décrit la transition isolant-métal et la disparition de la polarisation locale de spin qui ont lieu lorsque la concentration en impuretés augmente.
Abstract
The principles of the Local Spin-Density-Functional (LSDF) method, its usefulness to study interacting electron systems, especially those involving local magnetic moments, and its various applications are outlined. Experimental evidences for magnetic moments localized on charged impurities in doped semiconductors are briefly reviewed. The insulator-to-metal transition and the vanishing of local spin polarization, which occur as the impurity concentration increases, are described using the LSDF formalism.