| Issue |
J. Phys. Colloques
Volume 41, Number C5, Juillet 1980
Colloque International du C.N.R.S sur les Semiconducteurs Magnétiques / Magnetic Semiconductors
|
|
|---|---|---|
| Page(s) | C5-127 - C5-129 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1980522 | |
J. Phys. Colloques 41 (1980) C5-127-C5-129
DOI: 10.1051/jphyscol:1980522
EuS THIN FILM PROPERTIES IN RELATION TO STOICHIOMETRY AND DEFECTS
J. Köhne, G. Mair, N. Rasula, B. Saftic et W. ZinnInstitut für Festkörperforschung der Kernforschungsanlage Jülich, D-5170 Jülich, R.F.A.
Résumé
Par évaporation de EuS, on a condensé des couches minces polycristallines de EuxSy sur des substrats de verre de quartz à des températures comprises entre 20 K et 1400 K. La composition atomique, y/x, de ces couches minces varie de 0,8 à 1,2. Les changements systématiques observés à la température de Curie, la magnétisation, le champ coercitif, la mobilité des parois et la résistance électrique sont discutés en relation avec les changements mesurés dans la composition chimique (stoechiométrie) et avec les différences dans la concentration des défauts de structure.
Abstract
Polycrystalline EuxSy films with atomic ratios, x/y, ranging between 0.8 and 1.2 have been prepared by vacuum evaporation of EuS on to quartz glass substrates at temperatures ranging between 20 K and 1400 K. The systematic changes observed for the Curie temperature, the magnetization, the coercive field strength, the wall mobility, and the electrical resistivity have been related to the measured changes in chemical composition (stoichiometry) and to differences in the concentration of structural defects.