Issue
J. Phys. Colloques
Volume 41, Number C5, Juillet 1980
Colloque International du C.N.R.S sur les Semiconducteurs Magnétiques / Magnetic Semiconductors
Page(s) C5-1 - C5-7
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1980501
Colloque International du C.N.R.S sur les Semiconducteurs Magnétiques / Magnetic Semiconductors

J. Phys. Colloques 41 (1980) C5-1-C5-7

DOI: 10.1051/jphyscol:1980501

I. OPTICS AND PHOTOEMISSION
FANO-RESONANCES, SURFACE AND BULK EFFECTS IN PHOTOEMISSION FROM THE RARE EARTHS

W. Gudat1, S.F. Alvarado1, M. Campagna1 et Y. Pétroff2

1  Institut für Festkörperforschung der Kernforschungsanlage, 5170 Jülich, Germany
2  L.U.R.E. Orsay and Laboratoire de Physique des Solides, Université P. et M. Curie, 75230 Paris, France


Résumé
Nous démontrons que la photoémission résonnante peut être utilisée pour étudier la structure électronique et les interactions électroniques dans les matériaux 4f. Ces observations sont possibles grâce à la tunabilité de la lumière synchrotron et au caractère localisé des états 4f. L'absorption 4d-4f augmente de plus d'un ordre de grandeur la section efficace d'émission 4f. On s'attend à observer ce phénomène, décrit par la théorie de Fano, dans tous les matériaux avec des états électroniques partiellement localisés et donc tout spécialement dans les composés des éléments 3d.


Abstract
Resonant photoemission is shown to provide a novel tool to investigate the electronic structure and electronic interactions in 4f materials. The observation and identification of this phenomenom is made possible by the tunability of synchrotron radiation and by the strongly localized character of unoccupied 4f levels in rare earth materials. The cross section of 4f photoemission is observed to be enhanced by more than an order of magnitude due to 4d-4f photoabsorption. The resonance behaviour is shown to be described by the Fano-theory of the interaction of a discrete level with a continuum. Resonant photoemission is expected to occur in all materials containing atoms with unoccupied levels having some degree of localization (e.g. 3d-transition metal atoms). It should therefore offer novel possibilities to study the electronic structure of more complicated materials than the rare earth compounds (e.g. 3d-transition metal compounds).