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J. Phys. Colloques
Volume 39, Number C6, Août 1978
The XVth International Conference on low temperature physicsQuantum Fluids and Solids Superconductivity |
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| Page(s) | C6-610 - C6-611 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19786275 | |
Quantum Fluids and Solids
Superconductivity
J. Phys. Colloques 39 (1978) C6-610-C6-611
DOI: 10.1051/jphyscol:19786275
BARRIER PROFILES I N CLEAN AND DOPED TUNNEL JUNCTIONS
R.B. Floyd, W.J. Nelson and D.G. WalmsleySchool of Physical Sciences, New University of Ulster, Coleraine, Northern Ireland BT52 1SA
Résumé
Nous avons fait les calculs en utilisant la methode de WKB et nous les avons fait accorder avec la conductance mesurge des jonctions tunnels (Al-I-Pb), les unes propres et les autres avec les. impuretes. Les barrigres déduites pour les jonctions propres sont asymétriques (φ1 ≈ 1,5 eV, φ2 ≈ 4,5 eV). Nous expliquons ces résultats par une différence de concentration des espèces hydroxyles négatives à travers la barrière. Une barrière haute (≈ 10 eV) et mince (≈ 2,5 Å) décrit l a couche oréanique des jonctions avec les impuretes.
Abstract
We have measured the conductances of clean and doped Al-I-Pb tunnel junctions and fitted them by a WKB calculation in which the barrier parameters were varied. In undoped junctions the barrier so deduced is highly asymmetric (φ1 ≈ 1,5 eV, ≈2 ≈ 4,5 eV). We explain the results by a concentration gradient of fractionally charged negative hydroxyl species in the barrier. A thin (~2.5 Å) high (~ 10 eV) barrier, associated with the organic layer, reproduces the measured conductances in doped junctions.