TEMPERATURE DEPENDENCE OF THE ELECTRICAL RESISTIVITY OF (V_1-xCr_x)₃Si SINGLE CRYSTALS

Résumé
Nous avons mesuré la résistivité de la phase (V_I-xCr_x)₃Si monocristalline (x = 0...1) entre 4,2 K et 400 K. Lorsque la concentration de Cr augmente, la resistance à basse temperature évolue continuement de ρ ˜T²(x=0) à ρ ˜T⁵ (x=1). Les résultats sont discutés dans le cadre d'un modèle à 2 bandes (s-d) avec un pic logarithmique pour la densité d'état de la bande d. Le modèle décrit la discontinuité observée dans la pente de la résistivité à la transition de la phase cubique à la phase tétragonale dans V₃Si, ainsi que les déviations à la linéarité observées à hautes températures.

Abstract
The electrical resistivity of single phase (V_1-xCr_x)₃Si single crystals (x = 0...1) has been measured between 4.2 K and 400 K. With increasing Cr-content the resistance at low temperature changes continuously from ρ ˜T² (x=0) to ρ ˜T⁵ (x=1). The experimental results are discussed on the basis of a two-band (s-d) model with a logarithmic peak in the d-band density of states. The model describes the observed discontinuity in the slope of the resistivity at the cubic-tetragonal phase transition in V₃Si as well as the deviation from linearity at higher temperatures.