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J. Phys. Colloques
Volume 37, Number C7, Décembre 1976
Second International Conference on Lattice Defects in Ionic Crystals / Seconde Conférence Internationale sur les Défauts de Réseau dans les Cristaux Ioniques
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Page(s) | C7-342 - C7-348 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1976779 |
J. Phys. Colloques 37 (1976) C7-342-C7-348
DOI: 10.1051/jphyscol:1976779
THE INFLUENCE OF OXYGEN ON THE ELECTRICAL PROPERTIES OF CaF2 AND BaF2 SINGLE CRYSTALS
A. HAMMOU, M. DUCLOT and V.A. LEVITSKIILaboratoire de Cinétique Electrochimique Minérale, ERA 384 Domaine Universitaire 38401 Saint-Martin-d'Hères, France
Résumé
Le présent travail concerne l'étude de l'influence de l'oxygène sur les propriétés de conduction électrique de CaF2 et BaF2 monocristallins entre 450 et 1 200 °C. Trois types d'étude ont été entrepris : thermogravimétrie, conductivité électrique totale et nombre de transport cationique. Les résultats montrent que l'oxygène se place en position substitutionnelle. La réaction d'introduction s'accompagne de l'apparition de lacunes d'ions fluorure VF et d'un départ irréversible de fluor. L'étude a permis de suivre l'évolution des domaines intrinsèque, extrinsèque et d'association en fonction de la pression partielle d'oxygène.
Abstract
This work covers the study of the influence of oxygen on the electrical conductivity of CaF2 and BaF2 single crystals for the temperature range 450-1 200 °C. The study included three different aspects : thermogravimetry measurements, total electrical conductivity and cationic transport number. Results show that oxygen takes up substitutional positions. The reaction of introduction is accompanied by the occurrence of fluoride ion vacancies, VF, and the irreversible departure of fluorine. The study also showed how the intrinsic, extrinsic and association domains vary according to the partial pressure of oxygen.