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J. Phys. Colloques
Volume 37, Number C7, Décembre 1976
Second International Conference on Lattice Defects in Ionic Crystals / Seconde Conférence Internationale sur les Défauts de Réseau dans les Cristaux Ioniques
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| Page(s) | C7-582 - C7-585 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19767135 | |
J. Phys. Colloques 37 (1976) C7-582-C7-585
DOI: 10.1051/jphyscol:19767135
STACKING FAULT ENERGY CALCULATIONS IN THE FLUORITE STRUCTURE
R.J. GABORIAUD, M. BOISSON and J. GRILHELaboratoire de Métallurgie Physique Faculté des Sciences, 40, avenue du Recteur-Pineau, 86022 Poitiers, France
Résumé
Des calculs d'énergies de faute d'empilement ont été effectués dans la structure fluorine. Plusieurs méthodes sont développées dans lesquelles différents potentiels à courte portée sont utilisés. La contribution de la polarisation électronique est introduite par l'emploi d'un modèle de la coquille. Il est montré que l'énergie de polarisation électronique est faible quand les fautes d'empilement sont relaxées. Les résultats obtenus par différentes méthodes sont comparés. Généralement, les énergies de faute d'empilement trouvées sont fortes.
Abstract
Computer calculations of stacking fault énergies have been carried out in ionic crystals having the fluorite structure. Several methods are developped in which different short range potentials are used. In order to include the polarization a shell model is introduced. It is shown that the polarization energy is low when the stacking faults are relaxed. The results obtained by the different methods are compared. Generally, the stacking faults are found high.