SEMICONDUCTORS OF THE TYPE MeIIMeIVS3

U. V. ALPEN; E. GMELIN; A. RABENAU

doi:doi:10.1051/jphyscol:1975316

Issue		J. Phys. Colloques Volume 36, Number C3, Septembre 1975 EXPOSÉS et COMMUNICATIONS présentés à la Seconde Conférence Internationale sur les Composés Semiconducteurs Ternaires / Second International Conference on Ternary Semiconducting Compounds


Page(s)		C3-82 - C3-82
DOI		https://doi.org/10.1051/jphyscol:1975316

EXPOSÉS et COMMUNICATIONS présentés à la Seconde Conférence Internationale sur les Composés Semiconducteurs Ternaires / Second International Conference on Ternary Semiconducting Compounds

J. Phys. Colloques 36 (1975) C3-82-C3-82
DOI: 10.1051/jphyscol:1975316

SEMICONDUCTORS OF THE TYPE Me^IIMe^IVS₃

U. V. ALPEN, E. GMELIN and A. RABENAU

Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, 7 Stuttgart 1, P. B. 1099, RFA

Résumé
Les composés du type Me^IIMe^IVS₃ (Me^II = Sn, Pb ; Me^IV = Ge, Sn) se présentent dans deux groupes de symétrie isotypique : Me^IISn^IVS₃ orthorhombique et Me^IIGe^IVS³ monoclinique. Nous avons préparé des monocristaux suffisamment grands, afin de pouvoir déterminer les propriétés physiques fondamentales de ces composés : conduction électrique, absorption optique auprès du gap électronique fondamental. Les résultats ont été discutés en vue des structures cristallines différentes.

Abstract
Ternary compounds of the type Me^IIMe^IVS₃ with the elements Me^II = Sn, Pb and Me^IV = Ge, Sn form two isotypic groups, with orthorhombic (Me^IISn^IVS₃) and monoclinic (Me^IIGe^IVS₃) symmetry respectively. Single crystals of sufficiently large size have been prepared to examine some basic physical properties. Results on electrical conductivity, and optical absorption measurements at the fundamental electronic gap are reported. They will be discussed with respect to the crystal structures.